IBM smatra kako je današnja CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) tehnologija došla do svojih krajnjih granica, pa su potrebni novi materijali umjesto silicijuma kako bi se održao trend smanjivanja potrošnje uz istovremeno povećanje performansi novih čipova.

Njihov naučni rad koji je objavljen u publikaciji Science u osnovi se sastoji od zamjene silicijuma metalnim oksidom u procesorima i memoriji i to na atomskom nivou.

Propuštanjem mlazova joniziranih tečnih elektrolita kroz okside, IBM može prebacivati taj oksid iz izolatora u provodnik i obrnuto. Taj "trik" omogućuje bacanje logičkih vrata u akciju samo onda kada postoji potreba odnosno neko "događanje", umjesto potrebe za stalnim napajanjem elektricitetom, i bez promjena u pritisku ili u temperaturama koje su upravljale metalnim oksidima u prošlosti.

Drugim riječima ovo bi moglo predstavljati veliki napredak u daljem razvoju "neizbrisive" (nonvolatile - NV) memorije koja može održati pohranjenu informaciju bez napajanja, pa je dio IBM-ovog razvoja novih memorijskih rješenja poput MRAM-a.

IBM navodi kako su ovo tek začeci nove tehnologije, tako da ćemo se morati strpiti još neko vrijeme dok se ova tehnologija pojavi na tržištu.

(Izvor: Vidi)